**Specifications:**  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 40V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300  
- **Transition Frequency (ft):** 250MHz  
- **Package Type:** TO-92  

**Descriptions and Features:**  
- General-purpose NPN transistor suitable for amplification and switching applications.  
- Low noise and high gain characteristics.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Suitable for low to medium power applications.  
- RoHS compliant.