DC-500 MHz, Cascadable InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier The part **SBF-5089Z** is manufactured by **RFMD (RF Micro Devices)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Package:** SOD-323  
- **Reverse Voltage (VR):** 15V  
- **Forward Current (IF):** 100mA  
- **Forward Voltage (VF):** 0.38V (typical at 1mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Switching:** Designed for fast switching applications.  
- **Low Forward Voltage:** Ensures minimal power loss.  
- **Small Form Factor:** SOD-323 package suitable for compact designs.  
- **Schottky Barrier Diode:** Provides low leakage current and high efficiency.  
- **Applications:** Used in RF detection, mixing, and high-frequency circuits.  

For exact datasheet details, refer to the official RFMD documentation.

DC-500 MHz, Cascadable InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier

DC-500 MHz, Cascadable InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier The part **SBF-5089Z** is manufactured by **SIRENZA**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Frequency Range:** 5.0 GHz to 5.9 GHz  
- **Gain:** 8.5 dB (typical)  
- **Output Power (P1dB):** 28 dBm (typical)  
- **Efficiency:** 20% (typical)  
- **Voltage Supply:** +5V  
- **Current Consumption:** 500 mA (typical)  
- **Package Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**  
- The **SBF-5089Z** is a **GaAs MMIC power amplifier** designed for **5 GHz wireless applications**, including **Wi-Fi (802.11a) and UNII band systems**.  
- It is optimized for **high linearity and efficiency** in **5V operation**.  

### **Features:**  
- **High linearity** for OFDM modulation  
- **Integrated power detector** for power control  
- **Fully matched** input and output  
- **RoHS compliant**  

Let me know if you need any additional details.

DC-500 MHz, Cascadable InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier