High Voltage Schottky Rectifiers, Forward Current 1.0A The SB1H100 is a Schottky barrier diode manufactured by GS (General Semiconductor).  

**Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.85V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum at rated voltage)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  

**Descriptions and Features:**  
- High efficiency due to low forward voltage drop.  
- Fast switching capability.  
- Low power loss and high surge current capability.  
- Epitaxial construction for improved performance.  
- RoHS compliant.  

This diode is commonly used in power rectification, switching applications, and DC-DC converters.

High Voltage Schottky Rectifiers, Forward Current 1.0A