### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Material:** Silicon  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 160V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Gain (h_FE):** 40-320  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High voltage capability with low saturation voltage.  
- Suitable for use in power regulation, signal amplification, and driver stages.  
- Encapsulated in a TO-92 package for easy mounting.  
- RoHS compliant.  

For detailed datasheets, refer to EIC's official documentation.