### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- High current handling capability (50A continuous).  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management applications, motor control, and DC-DC converters.  
- Robust thermal performance with a TO-220 package.  
- Avalanche energy specified for reliability in inductive load switching.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)