N-Channel MOSFET The SW4N60 is a power MOSFET manufactured by SOMWIN. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 2.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 35ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 25ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  
### **Descriptions:**  
The SW4N60 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supply circuits, motor control, and other high-efficiency applications.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
This information is based solely on the manufacturer's provided data.