N-channel D-PAK/I-PAK/TO-92 MOSFET The **SW1N60C** is a power MOSFET manufactured by **SAMWIN (芯源科)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 8Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Descriptions:**  
- The **SW1N60C** is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-voltage switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and fast switching performance.  
- Suitable for power supply, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application guidance, refer to the official SAMWIN datasheet.

N-channel D-PAK/I-PAK/TO-92 MOSFET