N-channel MOSFET The SW13N50 is an N-channel MOSFET manufactured by SAMWIN. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 52A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 0.35Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min) – 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  
### **Description:**  
The SW13N50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, high switching speed, and robust performance in high-voltage circuits.  
### **Features:**  
- High voltage capability (500V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- RoHS compliant  
For detailed application notes and reliability data, refer to the official SAMWIN datasheet.