### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 360A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  
- Robust thermal performance due to the TO-263 package.  

This MOSFET is optimized for efficiency in high-current, low-voltage applications.