N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET The **SUU50N03-07** is a power MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 7mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 9mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**
- The **SUU50N03-07** is a **low on-resistance** N-channel MOSFET designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- It is suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- The device is optimized for **low gate drive requirements** and **fast switching performance**.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** (50A continuous, 200A pulsed).  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Optimized for 4.5V and 10V gate drive** for compatibility with logic-level and standard drive circuits.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant**.  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET