NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor The **SUR541EF** is a **P-Channel MOSFET** manufactured by **AUK**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28mΩ @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Application:** Power management, switching circuits, DC-DC converters  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High power dissipation capability  
- RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the **SUR541EF** by **AUK**.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor