Epitaxial planar NPN silicon transistor The **SUR519J** is a transient voltage suppressor (TVS) diode manufactured by **AUK**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** TVS Diode (Unidirectional)  
- **Peak Pulse Power:** 600W (10/1000μs)  
- **Breakdown Voltage (VBR):** 19V (Min) – 21.1V (Max)  
- **Standoff Voltage (VRWM):** 16V  
- **Clamping Voltage (VC):** 29.2V at 10A  
- **Maximum Reverse Leakage Current (IR):** 1μA at VRWM  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-214AB (SMC)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **surge protection** in electronic circuits.  
- Provides **ESD and transient voltage suppression** for sensitive components.  
- **Low clamping voltage** ensures effective protection.  
- **Fast response time** to transient events.  
- **RoHS compliant** and lead-free.  
- Suitable for **automotive, industrial, and consumer electronics** applications.  

(Source: AUK datasheet for SUR519J)

Epitaxial planar NPN silicon transistor