Epitaxial planar NPN silicon transistor The part **SUR489J** is manufactured by **AUK**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** TVS Diode (Transient Voltage Suppressor)  
- **Voltage - Reverse Standoff (Vr):** 5V  
- **Voltage - Breakdown (Vbr):** 6.4V (Min), 7.05V (Typ), 7.7V (Max)  
- **Voltage - Clamping (Vc):** 13.5V @ 8A  
- **Current - Peak Pulse (Ipp):** 8A (8/20μs)  
- **Power - Peak Pulse:** 108W  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Package/Case:** SOD-123  

### **Descriptions:**  
- Designed for **ESD (Electrostatic Discharge)** and **surge protection** in sensitive electronic circuits.  
- Provides **bidirectional protection**, safeguarding against both positive and negative transient voltages.  
- Suitable for **high-speed data lines** and **low-voltage applications**.  

### **Features:**  
- **Low Clamping Voltage** for effective transient suppression.  
- **Fast Response Time** (typically <1ns).  
- **RoHS Compliant** (lead-free and environmentally friendly).  
- **Compact SOD-123 Package** for space-constrained PCB designs.  

This information is based solely on the available technical data for **SUR489J** by **AUK**.

Epitaxial planar NPN silicon transistor