MOSFETs The SUP90P06-09L is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -360A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -10V:** 9mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The SUP90P06-09L is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- High current capability (-90A continuous, -360A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

MOSFETs

MOSFETs The SUP90P06-09L is a P-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -90A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -360A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at T_C = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- Low gate charge  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- TO-263 (D²PAK)  

This MOSFET is designed for power management applications, including DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)

MOSFETs

MOSFETs The SUP90P06-09L is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -360A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The SUP90P06-09L is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (-90A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-efficiency power applications  

For detailed application-specific considerations, refer to the official datasheet.

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