N-Channel 75-V (D-S) 175C MOSFET The SUP90N08-06 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** VISHAY  
### **Part Number:** SUP90N08-06  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 360A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The SUP90N08-06 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion and motor control applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (90A continuous, 360A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable TO-220AB package  
- Suitable for high-power applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 75-V (D-S) 175C MOSFET

N-Channel 75-V (D-S) 175C MOSFET The SUP90N08-06 is a power MOSFET manufactured by SI (Siliconix or Vishay Siliconix). Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SI (Siliconix/Vishay Siliconix)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 360A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The SUP90N08-06 is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Robust TO-220AB package for efficient thermal dissipation.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  

For exact details, refer to the official datasheet from Vishay Siliconix.

N-Channel 75-V (D-S) 175C MOSFET