N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET The SUP85N10-10 is a power MOSFET manufactured by SI (Siliconix or Vishay Siliconix). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** SI (Siliconix/Vishay Siliconix)  
### **Part Number:** SUP85N10-10  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.010Ω (10mΩ) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Package:** TO-220AB  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for power management applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET