**Part Number:** SUP85N03-04P  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The SUP85N03-04P is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability for power applications  
- Fast switching performance  
- Robust thermal characteristics  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- AEC-Q101 qualified (if applicable)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.