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SUP75P05-08 from VISHAY

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SUP75P05-08

Manufacturer: VISHAY

P-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUP75P05-08,SUP75P0508 VISHAY 2 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET The SUP75P05-08 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -50V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The SUP75P05-08 is a high-performance P-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications.  
- It features low on-resistance and high switching speed, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable for demanding applications  
- TO-247 package for efficient thermal management  

This information is strictly based on the provided knowledge base.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUP75P05-08,SUP75P0508 SILICONIX 240 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET The SUP75P05-08 is a P-channel MOSFET manufactured by SILICONIX. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -50V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.008Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  

### **Description:**  
The SUP75P05-08 is a high-performance P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power management in various circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (-75A continuous, -300A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Robust construction for reliable operation in power applications  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET

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