N-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET The SUP75N05-07 is a power MOSFET manufactured by SI (Siliconix). Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SUP75N05-07 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated  
- TO-220AB package for efficient heat dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET