N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET The SUP60N10-16L is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUP60N10-16L  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 85nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SUP60N10-16L is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The TO-263 package provides efficient thermal performance for high-power applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current capability (60A continuous, 240A pulsed).  
- Fast switching performance.  
- Robust thermal characteristics with a power dissipation rating of 160W.  
- Suitable for high-efficiency power conversion applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET