N-Channel Enhancement-Mode Trans The SUP60N06-18 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUP60N06-18  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 18mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The SUP60N06-18 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching speed.  
- Robust and reliable performance in harsh environments.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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