N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET The SUP57N20-33 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUP57N20-33  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 228A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 33mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The SUP57N20-33 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (57A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust thermal characteristics  
- Suitable for high-power applications such as motor drives, power supplies, and inverters  

For detailed application information, refer to Vishay’s official datasheet.

N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET