P-Channel 60-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET The SUM110P06-07L-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUM110P06-07L-E3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 7.0mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 9.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 110A continuous drain current.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides improved switching performance and lower conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged applications.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SUM110P06-07L-E3.

P-Channel 60-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET