SUM110N10-09-E3

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET The SUM110N10-09-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUM110N10-09-E3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 90 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-current and high-power applications.  
- TrenchFET® Gen III technology ensures improved switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

For detailed datasheets and additional information, refer to Vishay's official documentation.

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET