N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET The SUM110N10-08 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SUM110N10-08 is an N-channel MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable in high-power environments.  
- TO-263 package for efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET