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SUD50P10-43L from VISHAY

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SUD50P10-43L

Manufacturer: VISHAY

P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUD50P10-43L,SUD50P1043L VISHAY 23 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET The SUD50P10-43L is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUD50P10-43L  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -200A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 43mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SUD50P10-43L is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power management.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (-50A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust thermal characteristics  
- Suitable for automotive and industrial applications  

For exact datasheet details, refer to Vishay’s official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUD50P10-43L,SUD50P1043L X 2500 In Stock

Description and Introduction

P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET The SUD50P10-43L is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200 A  
- **Power Dissipation (PD):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.043 Ω (max) at VGS = 10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2 V to 4 V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2200 pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SUD50P10-43L is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in high-power circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (50 A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust thermal characteristics  
- TO-263 (D2PAK) package for efficient heat dissipation  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on Vishay Siliconix's datasheet for the SUD50P10-43L MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

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