P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET The SUD50P10-43L-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS).  

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -50A  
- **R_DS(ON) (Max):** 43mΩ at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

**Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- High power handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.

P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET

P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET The **SUD50P10-43L-E3** is a P-channel MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Transistor Type:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -50A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 43mΩ @ VGS = -10V  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Package / Case:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (-50A continuous drain current).  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance.  
- **Fast switching** characteristics.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

For exact performance characteristics, refer to the official VISHAY datasheet.

P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET