N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET The **SUD50N03-10AP** is a N-channel MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** Advanced TrenchFET® power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official **VISHAY** documentation.

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET