N-Channel Enhancement-Mode MOSFET The **SUD50N02-06** is a power MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 6mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON)** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is sourced from VISHAY's official datasheet for the **SUD50N02-06** MOSFET.

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET