N-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET The **SUD35N05-26L** is a power MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SUD35N05-26L  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 140A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 26mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions and Features:**  
- **High Current Handling:** Capable of continuous drain current up to **35A** with low on-resistance (**26mΩ**).  
- **Low Gate Charge:** Ensures **fast switching performance**, making it suitable for high-efficiency power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by **low-voltage control signals** (VGS = 10V).  
- **Thermal Performance:** The **TO-263 package** offers good thermal dissipation.  
- **Applications:** Used in **DC-DC converters, motor control, power management, and switching regulators**.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include any recommendations or usage guidance.