N-Channel Enhancement-Mode Trans The SUD30N03-30 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUD30N03-30  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 30mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Descriptions:**  
The SUD30N03-30 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (30A continuous, 120A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Improved thermal characteristics due to DPAK package  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.