N-Channel Enhancement-Mode Trans The SUD30N03-30 is a power MOSFET manufactured by SILICONI. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SILICONI  
- **Part Number:** SUD30N03-30  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value not specified)  
- **Power Dissipation (P_D):** Dependent on thermal conditions  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** Typically ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Low (exact value not specified)  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK) or similar power package  

### **Descriptions:**
- The SUD30N03-30 is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in various circuits.  

### **Features:**
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency by minimizing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Construction:** Designed for reliability in power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides durability under transient conditions.  

For exact values (e.g., R_DS(on), I_DM), refer to the manufacturer's datasheet.

N-Channel Enhancement-Mode Trans

N-Channel Enhancement-Mode Trans The SUD30N03-30 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUD30N03-30  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The SUD30N03-30 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (30A continuous, 120A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Improved thermal characteristics due to DPAK package  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel Enhancement-Mode Trans

N-Channel Enhancement-Mode Trans The SUD30N03-30 is a power MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SUD30N03-30 is an N-channel MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching applications.

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Improved thermal performance  
- TO-220AB package for efficient heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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