N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET The **SUD23N06-31** is a power MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SUD23N06-31  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 31mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 42nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The **SUD23N06-31** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- Low **R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- High current capability (23A continuous, 92A pulsed)  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET