**Part Number:** SUD19N20-90  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 90W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

**Descriptions and Features:**  
- High-speed switching MOSFET  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Suitable for power management applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

(Source: VISHAY datasheet)