N-Channel 75-V (D-S) 175C MOSFET The SUB85N08-08 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUB85N08-08  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 340A  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current-handling capability.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
This information is based on Vishay's official datasheet for the SUB85N08-08 MOSFET.