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SUB85N04-03 from SILICONIX

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SUB85N04-03

Manufacturer: SILICONIX

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUB85N04-03,SUB85N0403 SILICONIX 35 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET The SUB85N04-03 is a power MOSFET manufactured by SILICONIX. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICONIX (now part of Vishay)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 340A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.0mΩ (typical at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and switching regulators.  
- Features low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in demanding conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUB85N04-03,SUB85N0403 VISHAY 26 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET The SUB85N04-03 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SUB85N04-03  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 340A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.0mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 6000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The SUB85N04-03 is a high-performance N-Channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features ultra-low on-resistance and high power handling capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and computing systems.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (85A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-efficiency power conversion  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET

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