N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET The SUB85N04-03 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SUB85N04-03  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 340A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.0mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 6000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions:**  
The SUB85N04-03 is a high-performance N-Channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features ultra-low on-resistance and high power handling capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and computing systems.  
### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (85A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-efficiency power conversion  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.