N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET The SUB85N03-07P is a power MOSFET manufactured by SILICONIX (now part of Vishay). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Vishay/SILICONIX datasheet.

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET