N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET The SUB85N02-03 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUB85N02-03  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The SUB85N02-03 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications.  
- It is optimized for power management in switching applications such as DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Handling:** Supports up to 85A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for high-speed switching performance.  
- **Robust Thermal Performance:** Capable of operating in high-temperature environments.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced reliability under transient conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET