### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -75A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

### **Descriptions & Features:**  
- **P-Channel Enhancement Mode MOSFET**  
- **Low On-Resistance** for efficient power handling  
- **High Current Capability** (up to -75A)  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance  
- **TO-263 (D2PAK) Package** for surface-mount applications  
- **Optimized for Power Management** in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits  

This MOSFET is designed for high-power switching applications requiring low conduction losses.