N-Channel Enhancement-Mode Trans The SUB75N08-10 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUB75N08-10  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 - 4 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000 pF (typical)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

N-Channel Enhancement-Mode Trans