**Part Number:** SUB75N06-08  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  
- TO-263 (D²PAK) package for improved thermal performance.  

(Source: SILICONIX datasheet for SUB75N06-08)