N-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET The SUB75N05-07 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:** VISHAY  
### **Part Number:** SUB75N05-07  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 7mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Description:**  
The SUB75N05-07 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  
### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability (75A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust thermal characteristics  
- Avalanche energy rated  
- TO-263 (D2PAK) package for efficient heat dissipation  
This information is based on Vishay's datasheet and technical documentation for the SUB75N05-07 MOSFET.