SUB75N05-06

N-Channel Enhancement-Mode Trans The SUB75N05-06 is a power MOSFET manufactured by SI (Siliconix). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SUB75N05-06 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high power-handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency switching applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current-handling capability (75A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust thermal characteristics  
- Avalanche energy rated  
- TO-220AB package for efficient heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

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