SUB70N04-10

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level The SUB70N04-10 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The SUB70N04-10 is an N-channel MOSFET designed for high-power applications, offering low on-resistance and high current handling capabilities. It is suitable for switching and amplification in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 70A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal performance.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and power management applications.

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level