N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level The SUB70N04-10 is a power MOSFET manufactured by SILICON. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICON  
- **Part Number:** SUB70N04-10  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value not specified)  
- **Power Dissipation (P_D):** Dependent on thermal conditions  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (typical at specified V_GS)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** Typically 2-4V (exact range may vary)  
- **Package Type:** TO-263 (D2PAK) or similar power package  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  
- Fast switching characteristics for efficient power conversion.  

(Note: Exact values for parameters like pulsed current and power dissipation may vary based on datasheet revisions.)  

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N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level The SUB70N04-10 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The SUB70N04-10 is an N-channel MOSFET designed for high-power applications, offering low on-resistance and high current handling capabilities. It is suitable for switching and amplification in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 70A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal performance.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and power management applications.

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level

N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level The SUB70N04-10 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUB70N04-10  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SUB70N04-10 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current capability (70A continuous).  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.

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