**Part Number:** STY60NM60  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage, high-current power MOSFET designed for switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency in power conversion.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability in harsh conditions.  
- Suitable for high-power applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- TO-247 package ensures good thermal performance and mechanical robustness.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)