### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 34A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 136A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge and low on-resistance for improved efficiency.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.