N-CHANNEL 900V The **STY30NK90Z** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **STY30NK90Z** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor drives, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (900V)** for robust performance in demanding applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Ruggedness** ensures reliability under harsh conditions.  
- **TO-247 Package** provides excellent thermal performance.  
- **100% Avalanche Tested** for enhanced durability.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For precise application details, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

N-CHANNEL 900V