N-channel 650 V, 0.019 Ohm, 96 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in Max247 The STY112N65M5 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 650V  
- **Current Rating (ID):** 112A (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 0.019Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **Power Dissipation (PD):** 625W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** MDmesh™ M5  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Application:** High-efficiency power conversion in industrial, automotive, and consumer applications.  
- **Technology:** Uses ST’s MDmesh™ M5 technology for reduced conduction losses and improved switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **High Switching Speed:** Optimized for fast switching applications.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability for robustness in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures reliability under high-stress conditions.  

This MOSFET is suitable for applications such as power supplies, motor drives, and inverters.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)

N-channel 650 V, 0.019 Ohm, 96 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in Max247