N-CHANNEL 800 V The STW9NC80Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW9NC80Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package for High Power Dissipation**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-CHANNEL 800 V