N-CHANNEL 900V The **STW9NB90** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 22nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STW9NB90** is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control systems.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for fast switching  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Avalanche-Rugged Technology** for improved reliability  
- **100% Tested for Avalanche Energy**  
- **TO-247 Package** for efficient thermal dissipation  

This MOSFET is optimized for high-performance power conversion applications where efficiency and robustness are critical.

N-CHANNEL 900V