N-CHANNEL 900V The STW9NB80 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 36A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.2Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for applications requiring up to 800V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, inverters, and other high-voltage switching circuits.  
This information is sourced from STMicroelectronics' official documentation.